1. Фотоелектричні програми
Фотоелектричний ефект напівпровідникового матеріалу є основним принципом роботи сонячних елементів. В даний час фотоелектричне застосування напівпровідникових матеріалів стало гарячою темою і в даний час є найшвидше зростаючим і найкращим ринком чистої енергії в світі. Основним матеріалом виробництва сонячних елементів є напівпровідникові матеріали, а основним критерієм оцінки якості сонячних елементів є коефіцієнт фотоелектричного перетворення. Чим вищий коефіцієнт фотоелектричного перетворення, тим вищий ККД сонячних батарей. Відповідно до різних використовуваних напівпровідникових матеріалів, сонячні батареї поділяються на кристалічні кремнієві сонячні батареї, тонкоплівкові батареї та складні батареї III-V.
2. Світлові аплікації
Світлодіод - це напівпровідниковий світлодіод, побудований на напівпровідникових транзисторах. Використовуючи світлодіодну технологію, напівпровідникові джерела світла мають невеликий об’єм і можуть досягати плоскої упаковки. Вони відрізняються низьким тепловиділенням, енергоефективністю, тривалим терміном експлуатації, швидкою реакцією, є екологічно чистими та не забруднюють. З них також можна розробити легкі та короткі вироби. Після появи вони швидко стають популярними та стають новим поколінням високоякісних джерел освітлення. В даний час вони широко використовуються в нашому повсякденному житті. Є застосування в різних сферах, таких як світлофори, підсвічування для електронних продуктів, джерела світла для міського нічного озеленення та освітлення приміщень.
3. Перетворення потужності високої потужності
Взаємне перетворення змінного і постійного струму дуже важливо для використання електроприладів і є для них необхідним захистом. Це вимагає використання пристрою для перетворення електроенергії. SiC має високу напругу пробою, широку заборонену зону та високу теплопровідність, тому напівпровідникові пристрої SiC дуже підходять для застосувань із високою щільністю потужності та частотою перемикання, і пристрій перетворення потужності є одним із них. Ефективність компонентів з карбіду кремнію при високій температурі, високому тиску та високій частоті зробила їх широко використовуваними в таких галузях, як глибоке буріння свердловин, інвертори в пристроях для вироблення електроенергії, перетворювачі енергії в електричних гібридних транспортних засобах і перетворення тягової енергії для легкових поїздів. . Завдяки перевагам самого SiC і поточному промисловому попиту на легкі напівпровідникові матеріали з високою ефективністю перетворення, SiC замінить Si як найбільш широко використовуваний напівпровідниковий матеріал.
