XC7A50T-2CPG236I

Серія XC7A50T-2CPG236I Artix ® -7 оптимізована для додатків з низькою потужністю, які потребують послідовних приймачів, високої DSP та пропускної здатності логіки. Забезпечте найнижчу загальну вартість матеріалів для високопропускних та чутливих до витрат додатків.

Особливості продукту

Розширена високоефективна логіка FPGA заснована на справжній технології таблиці пошуку 6-входів (LUT) і може бути налаштована як розподілена пам'ять.

36 кб Блок-порт-блок-оперативної пам’яті із вбудованою логікою FIFO для буферизації даних на мікросхемі.

Технологія високої продуктивності Selectio ™, що підтримує інтерфейси DDR3 до 1866 Мб/с.

Високошвидкісне послідовне з'єднання, вбудований гігабітний приймач, зі швидкістю від 600 Мб/с до 6,6 ГБ/с, а потім до 28,05 ГБ/с, забезпечуючи спеціальний режим низької потужності, оптимізований для мікросхеми до інтерфейсів CHIP.

Аналоговий інтерфейс, що налаштовується користувачем (XADC), інтегрований з подвійним каналом 12-біт 1msps аналого-цифрового перетворювача та термічних датчиків теплової та мікросхеми.

Чіп DSP з множниками 25 x 18, 48-бітним акумулятором та схемою перед сходами для високоефективної фільтрації (включаючи оптимізовану симетричну фільтрацію коефіцієнта).

Потужний мікросхема управління годинником (CMT), який поєднує в собі фазового петлі (PLL) та модулі змішаного режиму (MMCM) для досягнення високої точності та низького тремтіння.

Використання MicroBlaze ™ Швидке розгортання вбудованої обробки процесорами.

Інтегрований блок PCI Express ® (PCIE), підходить для кінцевої точки x8 Gen3 та конструкцій кореневих портів.

Кілька варіантів конфігурації, включаючи підтримку товарного зберігання, 256 бітів шифрування AES з аутентифікацією HRC/SHA-256 та вбудованою виявленням та корекцією SEU.

Низька вартість, провідна, гола чіп чіп -чіп та висока цілісність сигналу фліп -чіп -упаковка, що полегшує міграцію між продуктами в одній серії пакетів. Усі пакети доступні в упаковці без свинцю, при цьому деякі пакети пропонують варіанти свинцю.

Розроблений для високого продуктивності та низького споживання електроенергії, він приймає 28 нанометра, HKMG, технологію процесу HPL, технологію процесу напруги 1,0 В та опція напруги в ядрі 0,9 В, яка може досягти меншого споживання електроенергії.